随着时间的推移和人类社会的进步，我国近年来在高科研发方面不断破冰，获得了不少的成就。在原本就薄弱的领域也是一步一步的建立起了我们自己的技术堡垒，在全球市场中逐步的站稳了脚跟，而芯片也就其中的一个典型的例子。相信提及国产芯片，绝大部分人第一时间想到的就是民营企业华为所产的海思，但实际上除了民营企业之外，国家科研院所也早就走上了自研的道路，尽管任重道远，但是终究是没让人们失望。近日中科院传出好消息，新型垂直纳米环栅晶体管成为2nm制程工艺的候选技术。
据了解目前市面上的绝大部分的芯片都还是沿用的英特尔的22nm FinFET工艺，预计在未来的4-5nm都还是会继续使用该类晶体管。在2018年的时候三星已经抢先一步的发布了3nm工艺制程说需采用的GAA环绕栅极晶体管，而该类技术相较之前的FinFET工艺，可多方面增强芯片的性能以及降低核心面积和功耗。
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