与两年前相比，三星3nm今年的关注度明显降低，有其自身原因，更多的可能还是技术市场的风云变化。
最近，台积电终于公开承认了自己的3nm计划，并表示四月份将会公布具体技术细节。终于，半导体制造业这场决定未来制程走向的关键一役——3nm技术之战还是来了。
迄今为止，在3nm制程上，业内只有两家公司具有此竞争能力，一家是台积电，另一家是三星。
其实在台积电之前，三星早已公布了其3nm工艺细节，也一直在3nm上呈现领跑态势。最近它刚刚宣布自己已经成功研制出首款3nm工艺芯片的消息，采用的技术正是此前盛传的GAAFET技术，并表示其在技术完成度上获得了远超预期的表现。
可以说，从公布的消息来看，相较于台积电，三星要靠谱的多。但有些出乎意料的是，三星方面的消息传出来后，反响平平，似乎也没有受到太多关注。
三星3nm计划到底存在什么问题？
图 | 三星晶圆代工业务市场副总Ryan Sanghyun Lee
可以说，正是因为对3nm保持着长期而巨大的投入，三星才能将成果推进到今天的量产前夜。而正如当时做成存储的决心和毅力，三星在代工业务上的坚持其实有些超乎意料。
在2015-2016年期间，三星曾一度夺走了台积电不少大客户的订单，实现了收入的大幅度增长。后来尽管因为智能手机衰退和台积电先进制程而导致销售额下降，跌落到了全球第四的排名。但是三星仍然没有丝毫放弃的势头，2018年初，在韩国首尔举办的三星晶圆代工论坛上，三星方面就对外表示，目标就是先超联电和格芯，再超台积电。
从最近2019年第四季度统计的排名我们可以看出来，三星延续了前三季度的优势，以市占率17.8%稳稳当当地占据了仅次于台积电的第二位，而排在第三的格芯仅有8%。
有分析表示，这些年为了与台积电在争夺先进制程工艺市场话语权方面，三星下足了功夫——投资、独立代工业务、挖人等。而取得现在的成果，三星代工技术能力和客户认可度的提升功不可没。
相比较来看，虽然在现有市场台积电的地位难以撼动，但是在3nm技术上，仅仅有造厂的消息传出，官方一直没有对外透露更多，其3nm计划看起来更“虚无缥缈”。
3nm GAA攻坚战
因此回到三星3nm不受关注问题上，我们很难不去重新审视一下技术。
三星采用的是3nm GAA。
此前比利时微电子研究中心曾发表研究报告公开表示，环绕式闸极（GAA）电晶体将是未来最有可能突破7 纳米技术以下FinFET工艺的“候选人”。
GAA晶体管在通道的所有侧面都有一个栅极，用于克服FinFET的物理缩放比例和性能限制，包括电源电压。与现在的FinFET Tri-Gate三栅极设计相比，GAA技术因为重新设计晶体管底层结构，克服了当前技术的物理、性能极限，增强栅极控制，性能大大提升。
在该技术方向下，主要有纳米线、板片状结构多路桥接鳍片、六角形截面纳米线和纳米环技术四大主流方向，三星采用的是MBCFET（Multi-Bridge Channel FET），即板片状结构多路桥接鳍片。
三星认为主流的纳米线GAA技术沟道宽度较小，因此往往只能用于低功率设计，并且制造难度比较高，因此没有采用这种方案。
据三星介绍，它在其PDK设计中提供了四种不同的方案，可以在一颗芯片的不同部分使用，也可以直接用于制造整颗芯片。在性能方面，它与5纳米制造工艺相比，3纳米GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%，优势明显。
