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进入 5G 世代，5G 产品大多具备高功率、高压、高温等特性，传统的硅 (Si) 原料因无法克服在高压、高频中的损耗，所以已无法满足新世代的科技需求，这使得碳化硅 (SiC) 开始崭露头角。
而利用 SiC 制作出的电子零组件相对于 Si 的优势主要来自三个方面：降低电能转换过程中的能量损耗、更容易实现小型化、更耐高温高压。
根据 Yole Développement 报告指出，到 2024 年，SiC 功率半导体市场规模将增长至 20 亿美元，2018 年至 2024 年期间的年複合成长约 30%。其中，汽车市场无疑是最重要的驱动因素，其占 SiC 功率半导体市场比重到 2024 年预计将达 50%。
特斯拉 Model 3 就是采用 ST 与 Infineon 生产的 SiC 逆变器，是第一家在主逆变器中整合全 SiC 功率模组的车厂。
车载充电器：SiC 零组件正在加速渗透至车载充电器领域。根据 Yole 统计，截至 2018 年有超过 20 家车厂在自家车载充电器中採用 SiC SBD 或 SiC MOSFET 零组件，且这一市场在 2023 年之前可望保持 44% 的增长。
SiC 产业链
全球 SiC 产业格局呈现美国、欧洲、日本三强鼎立态势。其中又以美国独大，占全球 SiC 产值约 70% 至 80%。当中主要的企业有 Cree、Transphorm、II-VI、Dow Corning。
欧洲方面则是拥有完整的 SiC 产业链，包含基底、磊晶、零组件及应用产业链。主要企业则有：Siltronic、ST、IQE、Infineon 等。
日本则是 SiC 设备和模组开发方面的领导者。主要企业则有：松下、罗姆半导体、住友电气、三菱化工、瑞萨、富士电机等。
中国大陆虽有涉入，但发展仍在初期，规模远不如上述三个国家和地区的规模和实力。中国大陆厂目前在基底、磊晶和零组件方面均有布局。主要企业有: 中电科、天科合达、泰科天润、山东天岳、东莞天域、深圳基本半导体、上海瞻芯电子、三安集成等。
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