GAA：晶圆时代3nm~2nm制程的最后挣扎
GAA全称：Gate-All-Around，即环绕式栅极技术。
这项技术的诞生，旨在解决5nm以下*制程面临的一系列极端难题。传统FinFET工艺*在7nm制程以下，很难解决材料极限、漏电以及物理结构搭建等难题。业界倾向采用GAA技术作为下一阶段芯片制造工艺的解决方案。
*5nm以下节点有可能步进于：3nm、2nm、1.5nm等阶段；
*FinFET即Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管（22nm~5nm）。
而在下一阶段（最快2023年后），芯片制程达到5nm以下时，栅极距将继续下探，届时，FinFET工艺完全失效。
制程节点的每一次迭代，对芯片巨头来说都是一次“大出血”
- 65nm：2400万美元；
- 45/40nm：3900万美元；
- 28nm：6290万美元；
- 20nm：1.04亿美元；
- 16/14nm：1.78亿美元；
- 10nm：2.82亿美元；
- 7nm：3.49亿美元；
- 5nm：4.76亿美元。
*注：仅为设计研发成本，不包含光刻机、原材料、生产成本。
也许很多人会表示疑惑，对于像Intel、三星、台积电这样的芯片制造工艺巨头来说，区区几亿美元的“小钱”，算个啥？确实，这点钱对于这些行业巨头，甚至对于本土企业来说都只是“小钱”。但是，材料极限、制程极限、技术极限仍是根本瓶颈。换句话说，这是一场“巧妇难为无米之炊”的游戏。
台积电的南京工厂（16~40nm非高级工艺）初期投入近200亿元人民币
另外，以台积电为例。即将于2020年进入量产阶段的5nm制程，依然是基于7nm FinFET工艺改良而来，生产设备基本维持前代标准不变。也就是说，进入3nm之后，研发成本、设备更新等等这笔账目，又要重新来过一遍了。
但是！
大家不妨回忆一下，自上一轮FinFET技术将平价的22nm产品送入寻常百姓家之后，14nm、7nm的更新换代有多快？
除了Intel闭关锁国坚守14nm多年以来，重要节点的制造工艺存续时间往往不超过4年，而且随着移动端多核晶片的迭代加速，制造工艺换代速度不断加快。以AMD的7nm锐龙处理器为例，不到一年时间，7nm的改良版7nm+（EUV）就已登场。而随后的5nm制程，也将在2020年推出成品（下图）。
同样的，3nm、2nm制程的产品生命周期，如果参照于7nm、5nm的历史，恐怕也不会太长。毕竟，1nm之后的芯片历程将有望完全改写，碳基底材代替硅基底材之后，现有的IC制程经验恐怕面临重写。与其花8~10亿美元投入GAA技术用个三四年，还真不如一步到位把碳纳米管搞点成绩出来，更符合经济效益。
GAA尚未定论，美国急于封锁意欲何为？
简而言之：预防针+犬吠示威。
各主要芯片制造业巨头，目前并未确定GAA技术为3nm之后的唯一选择。虽然三星、Intel乃至IBM、格罗方德都曾展示过各自的GAA类方案，但都未明确声明这些方案将用于未来的量产阶段。
项庄舞剑，意在沛公
虽然美国的西方盟友们，对中国的5G技术输出表态不一，但这一来自东方的科技威慑，对传统的美国科技霸权已造成了穿透伤害。5nm制程是今后一段时间5G芯片重要的工艺选择，而5G之后的下一代通讯技术，势必对芯片性能、制造工艺提出新的要求。美国提前对GAA技术展开封锁，目的无外乎对中国下一代通讯技术所需的芯片制造方案，套上“紧箍咒”。
综上所述，未来这4年的路还很长，技术层面出现革新、突破也未尝不可，国际局面也不可能一成不变这么僵持下去。美方希望靠一纸GAA技术封锁，就断了中国芯片行业发展的想法，能理解，然并卵。