大基金二期入主,中微公司凭什么?

中微公司是国内领先、世界排名前列的半导体高端设备制造商。公司自成立以来主要从事半导体设备的研发、生产和销售。公司以中国为基地,为全世界提供高端半导体微观加工设备。主营业务为开发大型真空微观器件工艺设备,主要产品是刻蚀设备和 MOCVD 。刻蚀机用于半导体制程,客户涵盖台积电、中芯国际、海力士、华力微、联华电子、长江存储等; MOCVD 用于 LED 外延片制程,客户涵盖三安光电、华灿光电、乾照光电等。

技术更新迭代贯穿公司发展的各个阶段。公司 2004 年在张江高科科技园区启动运营,以瞄准世界科技前沿,坚持自主创新为理念,不断推出先进半导体设备产品。2007 年,公司推出首台 CCP 刻蚀设备,2012 年,首台 MOCVD 设备产品 Prismo D-Blue 研制成功,2018 年开始改进 Primo AD -RIE 并进入 5nm 生产线。公司产品在国际具有较高认可度,2019 年 5 月,中微公司在全球晶圆制造设备供应商中排名第三,在十大芯片制造设备专业型供应商和专用芯片制造设备供应商中均位列第二。中微公司已经连续两年成为其中唯一一家中国本土的半导体设备公司。

大基金二期入主,中微公司凭什么?

内生外延,高端半导体制程新版图未来可期。目前,公司从三个维度对业务进行拓展布局规划:

1)刻蚀设备领域作为核心竞争力,向薄膜、检测等关键设备领域扩展;2)扩展在泛半导体领域设备的应用,如布局显示、MEMS、功率器件、太阳能领域的关键设备; 3)持续关注其他新兴领域,考虑从设备制造向器件大规模生产,探索如环保设备及工业物联网设备等领域的市场机会。

技术驱动,专业认可度业内领先。公司两大主营业务刻蚀设备和 MOCVD 设备是半导体制造的核心工艺。薄膜沉积工艺是在晶圆上沉积一层待处理的薄膜,通过匀胶工艺把光刻胶涂抹在薄膜上,光刻和显影工艺随后把光罩上的图形转移到光刻胶,刻蚀工艺将光刻胶上图形转移到薄膜,去除光刻胶后,即完成图形从光罩到晶圆的转移。整个芯片制造流程需要数十次光罩,循环使用薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺来将所有光罩的图形逐层转移到晶圆上。

大基金二期入主,中微公司凭什么?

等离子体刻蚀设备分为电容性等离子体刻蚀设备(CCP,Capacitively Coup Plasma)和电感性等离体刻蚀设备(ICP,Inductively Coupled Plasma)。电容性等离子体刻蚀设备主要用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料。电感性等离子体刻蚀设备主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料。

中微刻蚀产品线逐步成熟,从 CCP ICP 快速开拓。

(1) CCP 刻蚀设备:公司 CCP 刻蚀设备,包括 Primo AD-RIE®、Primo SSC ADRIE™、 Primo HD-RIE™等产品批量应用于国内外一线客户从 65nm 到 5nm 集成电路制造产线,其中在先进逻辑电路方面,公司已取得 5nm 及以下逻辑电路产线的重复订单;在存储领域,公司蚀刻设备已广泛用于 64 层及 128 层 3D NAND 产线,并正在积极布局 DRAM 应用的工艺开发及验证。

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(2) ICP 刻蚀设备

ICP 刻蚀设备 Primo nanova®是中微公司 2018 年正式发布的第一代电感耦合等离子体刻蚀设备。目前,中微公司 Primo nanova®产品已成功进入海内外十余家客户的晶圆产线,在领先的逻辑芯片、DRAM 和 3D NAND 厂商的生产线上实现大规模量产,2021 年 6 月 10 日公司第 100 台反应腔顺利交付。目前,公司研发的具有高输出率特点的双反应台 ICP 刻蚀设备 Primo Twin-Star®也已经在客户端完成认证,公司刻蚀设备产品种类不断完善,竞争力持续提升。

大基金二期入主,中微公司凭什么?

公司的刻蚀设备产品具有行业竞争优势,正逐步打破国际垄断。公司开发的 12 英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户 65 nm 到 5 nm 等先进的芯片产线上;公司已开发出小于 5 nm 刻蚀设备用于若干关键步骤的加工,并已获得行业领先客户的批量订单。公司正开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺,能够涵盖 5 nm 以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。

在 ICP 方面,公司正在进行下一代产品的技术研发,满足 5nm 以下逻辑芯片、1X 纳米的 DRAM 芯片和 128 层以上 3D NAND 芯片的 ICP 刻蚀需求。

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MOCVD 设备将超纯气体注入反应器中并精细计量以将非常薄的原子层沉积到半导体晶片上。含有所需化学元素的有机化合物或金属有机物和氢化物的表面反应为晶体生长创造条件,形成材料和化合物半导体的外延。

Prismo A7:公司的 MOCVD 设备 Prismo A7 设备已在全球氮化镓基 LED MOCVD 市场中占据领先地位;

Prismo HiT3:2020 年,公司推出了用于制造深紫外光 LED 的高温 MOCVD 设备 Prismo HiT3,已在行业领先客户端用于深紫外 LED 的生产验证并获得重复订单;制造功率器件用 MOCVD 已在客户芯片生产线上投入试用;

Prismo UniMax:2021 年 6 月,公司推出用于 Mini LED 生产的 MOCVD 设备 Prismo UniMax,并已收到来自国内领先客户的订单。目前,制造 Micro LED 等应用的新型

MOCVD 设备正在开发中。

公司自主研发的 MOCVD 设备已被三安光电、华灿光电、乾照光电、璨扬光电等多家与公司紧密合作的一流 LED 外延片及芯片制造厂商大批量采购。

大基金二期入主,中微公司凭什么?

研发力度行业领先,专利收获颇丰。2020 年,公司研发投入为 6.4 亿,同比上涨 50.69点,主要用于研究开发新的工艺,包括存储器刻蚀的 CCP 和 ICP 刻蚀设备、Mini-LED 大规模生产的高输出量 MOCVD 设备、Micro-LED 应用的新型 MOCVD 设备等。研发投入占营业收入比例为 28.14点,高于行业水平。从研发成果来看,公司具有深厚的技术研发基础,拥有多项自主知识产权和核心技术,到 2020 年底,公司新增专利 80 个,累积 1096 个。截至 2021 年 4 月,公司研发人员数量达到 345 人,占员工总数的 38.55点。公司及子公司已申请 1,814 项专利,已获授权且在保护期内的专利共 1,070 项(中国境内 568 项、境外 502 项)并且绝大多数专利在产品上得到应用。

大基金二期入主,中微公司凭什么?

品牌认可度高,荣获多项奖项。多年深耕刻蚀设备及 MOCVD 设备领域,产品已成功进入了海内外半导体制造企业,塑造了技术领先、质量可靠的品牌形象。公司经过持续优质的产品交付、技术更新以及客户服务,在行业内获得了较高的认可度。2020 年,公司获得 8 项主要奖项,其中包括“上海贸易自主品牌示范企业”、“2020 福布斯中国最具创新力企业 50 强”、“国家企业技术中心”称号等。公司以积极参与有影响力的市场活动的方式,持续打造领先设备公司市场形象,不断强化公司技术和品牌优势。

产业积累深厚,客户覆盖国内外一线企业。2019 年 5 月,中微公司在全球晶圆制造设备供应商中排名第三,在十大芯片制造设备专业型供应商和专用芯片制造设备供应商中均位列第二。公司的高端半导体设备技术水平处于世界前列,客户已经延伸至世界范围,在公司的前五大客户中覆盖了国内外一线企业。并且随着公司收入规模增大,主要客户集中度逐年降低,2016年、2017年和2018年,公司前五名客户销售占比分别为 85.74点、74.52点和 60.55点。多年来,公司产品技术及销售服务竞争优势不断累积,同海内外客户的业务合作关系不断深化,客户服务和产品解决方案专业化不断提升,产品已进入包括台积电、中芯国际、华虹集团、长江存储、采钰科技、海力士、联华电子、华邦电子、格罗方德、博世、意法半导体、三安光电、江西兆驰、璨扬光电、华灿光电、乾照光电等国内外知名半导体制造企业。

公司发布 2020 年度向特定对象发行 A 股股票发行情况报告书,截至 2021 6 22 日,已收到认购对象缴付的认购资金,扣除发行费用后实际募集资金净额为人民币 8,118,162,441.14 元。本次发行 A 股股票总数量为 80,229,335 股,发行价格为 102.29 /股,于 2021 6 30 日在中国证券登记结算有限责任公司上海分公司办理完成登记托管及限售手续。

20 家中外知名机构参与 82 亿元定增,大基金二期约占本次募集资金的 30点。本次定增项目的发行对象共 20 家机构,限售期为 6 个月。前十大获配发行对象中,内资机构包括:国家集成电路产业投资基金二期获配 24,440,316 股(占 30.5点)、工银瑞信基金获配 9,082,020 股(占 11.3点)、高毅资产获配 3,799,586 股(占 4.7点)、河南资管及其他券商、公募基金;QFII 机构包括:新加坡政府投资公司 GIC 获配 7,615,602 股(占 9.5点)、法国巴黎银行获配 2,639,553 股(占 3.3点)、瑞银集团 UBS AG 获配 2,326,717 股(占 2.9点)。本次定增发行后,国家大基金二期成为公司的第五大股东,共持股 3.97点。

定增旨在扩充现有集成电路设备及泛半导体设备产能、提高科技创新水平。本次定增募集资金将用于公司的临港产业化基地(实施 5 年)、临港总部和研发中心(实施 5 年)等项目建设及科技储备资金。其中,临港产业化基地的规划产能为新增等离子体刻蚀设备 630 腔/年、MOCVD 设备 120 腔 /年、热化学 CVD 设备 220 腔/年、环境保护设备 180 腔/年;临港总部和研发中心将搭建技术研发、样品制造与模拟测试的全周期研发平台,开展高端集成电路及泛半导体领域的研发工作。此外,科技储备资金将用于红黄光 MOCVD、大面积平板显示、PECVD 等化学薄膜、光学检测设备等领域的协作开发项目及横向扩展集成电路关键设备、外延泛半导体设备等对外投资并购项目。定增项目的落地,将帮助产能积极应对集成电路产业景气持续上升带来的增长需求,及产品特性适应万物互联等行业发展趋势带来的新机遇。

芯片供需紧缺带来半导体设备高景气,公司 ICP 刻蚀销售放量。据公司公告,截止 2021 年 6 月公司的单反应台 ICP 刻蚀 Primo nanova 交付累计达 100 台,根据公司 2020 年度业绩说明会透露,可推导 2016-2021H1 的 ICP 刻蚀系列逐年新增腔数为 2、6、13、6、28 及不低于 45 台,2021 年上半年的新增腔数比 2020 年全年的至少增长 61点,ICP 刻蚀产品的年度交付量正大幅增长,此次定增项目的落地将能更好的配合产能供应,助力业绩增长。

在国产替代的关口,大基金入主,高景气度行业,处在相对低位参与性价比较高,可以持续性关注后续的走势!

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