存储器大厂美光科技（Micron）近日宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A扩建。美光执行长Sanjay Mehrotra表示，新厂区将视市场需求调整资本支出及产能规划，并应用先进3D NAND制程技术，进一步推动5G、人工智能（AI）、自动驾驶等关键技术转型。此外，美光亦将加码在中国台湾DRAM厂投资，台中厂扩建生产线可望在年底前落成。
美光14日举行新加坡Fab 10A厂扩建完成启用典礼，共有超过500名客户及供应商、经销商、美光团队成员、当地政府官员等共襄盛举，而包括系统厂华硕、存储器模组厂威刚、IC基板厂景硕、存储器封测厂力成、IC渠道商文晔等美光在台合作伙伴高层主管亦亲自出席典礼。
美光2016年在新加坡成立NAND卓越中心，包括新加坡Fab 10晶圆厂区，以及位于新加坡及马来西亚的封测厂，此次扩建的Fab 10A厂区将根据市场需求的趋势调整资本支出，预计下半年可开始生产，但在技术及产能转换调整情况下，Fab 10厂区总产能不变。
美光表示，NAND卓越中心利用在新加坡的基础设施和技术专长上的长期投资，扩建的Fab 10A为晶圆厂区无尘室空间带来运作上的弹性，可促进3D NAND技术先进制程节点的技术转型。美光第三代96层3D NAND已进入量产，第四代128层3D NAND将由浮动闸极（floating gate）转向替换闸极（replacement gate）过渡，Sanjay Mehrotra强调，美光3D NAND技术和储存方案是支援长期成长的关键，同时进一步推动5G、AI、自动驾驶等关键技术转型。
美光的DRAM布局上，以日本广岛厂为先进制程研发重心，2017年在台湾成立DRAM卓越中心，台湾成为美光最大DRAM生产重镇。美光近几年来在台投资规模不断扩大，台中厂区除了现有12英寸厂，也将加快投资进行新厂区扩建，计划在年底前完成，而台中厂区后段封测厂亦持续扩大产能。
随着韩国存储器厂三星及SK海力士开始评估在先进DRAM制程上采用极紫外光（EUV）微影技术，美光也开始评估将EUV技术应用在DRAM生产的成本效益，随着DRAM制程由1z纳米向1α、1β、1γ纳米技术推进过程，会选择在合适制程节点采用EUV技术方案。