近日，台积电CEO魏哲家在一次电话会议中指出，台积电将在今年上半年大规模生产5nm芯片，并投放市场进入商用领域，并将在今年四月份向媒体透露有关3nm芯片的相关信息。

同时，台积电也不甘示弱。据TechNode报道，台积电共投资了195亿美元，计划在台南南台科技园建设一家生产3nm芯片的工厂，该工厂将与台积电的5nm芯片工厂并列。不出意外的话该工厂将于今年开工建设并投入使用。

就在台积电投资建厂的同时，为了尽快达到生产3nm芯片所需要的标准，三星已经放弃使用FinFET晶体管，转而使用MBCFET（多桥通道场效应管)技术来改善晶体管性能，该技术与FinFET晶体管制造工艺兼容，这将使三星更快、更容易地向3nm过渡。