最近两年时间我国芯片研究喜报不断，近日中科院对外宣布，中国科学院所研发出了新型垂直纳米环珊晶体管，这种新型晶体管被视为2nm及以下工艺的主要技术候选，这意味着这项技术成熟后，国产2nm芯片有望成功破冰，这个比之前三星所发布的3nm工艺需要采用的GAA环绕珊极晶体管性能更强，功耗更低。

除了华为和中科院之外之外，目前我国还有很多芯片设计企业，他们的实力也不容小觑，比如刚成立不久的平头哥，他所研发的AI芯片含光800，其性能已经在处于行业前列。根据MLPerf基准联盟公布的首轮AI推理基准测试结果，阿里巴巴平头哥的AI芯片含光800在Resnet50基准测试中获得单芯片性能第一。

据中国工程院院士倪光南表示，目前我国的芯片企业在数量上已经位居世界第一，芯片的总体设计水平已经达到了世界第二，可以看出我国芯片设计能力进步是非常明显的。

2、我国的芯片制造进步也非常明显。

一直以来我国的芯片制造主要集中在90纳米以下的低端芯片，很多高端芯片都严重依赖进口，不过最近两年时间，我国的一些芯片企业也具备了生产高端芯片的实力。

比如中芯国际从2015年开始就研发了14纳米芯片，目前良品率已经达到了95%以上。最近一段时间，中芯国际已经官宣，位于上海浦东张江哈雷路上的芯片制造公司，14纳米的芯片生产线已经正式量产。这让中芯国际跟台积电，三星等顶尖芯片企业的差距进一步缩小。

3、芯片制造所需的核心零部件之一蚀刻机，我国也是属于世界前列的。

说到芯片制造大家都知道光刻机是非常关键的一个环节，但除了光刻机之外，蚀刻机同样也是非常关键的一个环节。

在蚀刻机领域，目前我国的技术水平已经达到了世界先进行列，目前我国的7nm蚀刻机已经实现量产，另外由中微半导体生产研发的蚀刻机，在2019年的时候也顺利通过了台积电5纳米工艺的验证。

不过目前我国在光刻技的研发上也取得了一些进步。

比如2018年11月，由中国科学院光电技术研究所所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，该装备采用365nm波长的紫外光单次成像，实现了22纳米的分辨率，结合双重曝光技术后，未来还有可能用于制造10nm级别的芯片，这为我国芯片加工提供了全新的解决途径。

再比如2019年4月，武汉光电国家技术研究中心甘棕松团队采用二束激光在自主研发的光刻胶上突破了光束衍射极限，采用远场光学的办法，成功刻出9nm线宽的线段，实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新，这个技术突破让我国打破了三维纳米制造的国外技术垄断。

总之，最近几年我国的芯片制造实力进步非常明显，但与世界先进水平的差距仍然比较大，不过按照目前我国芯片的研发进度，未来我相信我国跟世界先进水平的差距会慢慢缩小，甚至有可能超越世界先进水平。