从2018年末荷兰ASML光刻机公司工厂的一场火灾开始，中芯国际的光刻机进口之路开始波折起伏，其花费近8.2亿购买的一台EUV深紫外光刻机，是否会延迟交付我们不得而知。但经过一整年时间，荷兰出口EUV光刻机到中国的许可证由于到期，到现在也迟迟没有续期，导致EUV光刻机交付进一步推迟。而中芯国际制造7纳米芯片所用的关键设备，EUV光刻机则是重中之重，可以说没有这台EUV光刻机，中国整个7纳米半导体的研发进程将会受阻。难道中国赶超美韩高精度、先进半导体芯片的脚步将会止步于此吗？

不同纳米级的光刻机决定了芯片的制造精度其功能也受此影响

一根细丝千分之一的机内运行误差，数万个高精度部件，上千万行计算机代码共同构成了一个运行系统，这就是光刻机——被业内人士誉为半导体行业皇冠上的明珠。芯片制造中最为关键的一步就是光刻，其具体功能就是将设计师研发的芯片线路和功能区，通过光刻机的高精度运行，刻在一片圆形硅晶片面上，这些线路就是设计师所规划的芯片运行指令。所以不同纳米级的光刻机决定了不同精度芯片的制造。中国想要攻克7纳米级芯片，必须首先研发出7纳米级的EUV光刻机。

中国近日提前成功攻克了2纳米芯片研发制造的关键技术

就在全球处于7纳米芯片的进一步研发制造时，近日中科院成功攻克了2纳米级芯片所需的关键技术——垂直纳米环栅晶体管，为今后我国2纳米级半导体的研发提前打下了基础，堪称全球首创。从去年台积电攻克3纳米环栅晶体管开始，中国首次在高精度芯片的技术研发上走在世界前列。2纳米芯片的制造生产以及将于2024年投入，而此次2纳米关键技术的攻克破冰，称得上是意义重大。如果ASML公司的EUV光刻机能成功交付，相信中国的芯片研发制造定能走得更远。