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国产14nm/12nm芯片喜报不断,背后却承受如此打压

近日,中芯国际(SMIC)以第三方口吻透露: 14nm工艺的良品率已经达到95%,并成功在2019年第三季度开始量产14nm FinFET。此外,中芯国际的12nm工艺已开始客户导入(官方称比14nm功耗降低20%、性能提升10%、错误率降低20%),而下一代工艺的研发或直逼7nm。

而根据最新中芯南方集成电路制造有限公司(中芯南方厂)的官方消息来看,

这里有国内第一条14nm工艺生产线,于2019年第三季度成功开始量产14nm FinFET,成为中国内地最先进的集成电路生产基地。按规划达产后中芯南方厂将建成两条集成电路先进生产线,月产能均为3.5万片晶圆。这意味着,中芯国际提前一年完成了国家赋予的重任。

当然,中芯国际在芯片研发进展上也并非一帆风顺。比如在购进荷兰ASML光刻机设备之时,就受到来自美国方面的阻挠。

ASML设备能够使用由激光产生、由巨型镜子聚焦的极紫外(EUV)光束,在被称为晶圆片的硅片上铺设非常窄的电路。目前只有少数公司有能力生产最复杂的芯片,包括英特尔、三星电子和台积电。