美光去年开始就扩建他们在新加坡的Fab 10工厂，扩展旨在进行新的3D NAND工艺节点转换，并且保持和现在一样的晶圆产量，上周他们举办了Fab 10 Expansion的开幕仪式，新建的无尘工作时能够生产更多堆叠层数，存储密度更大的闪存。
美光Fab 10 Expansion是由原来的Fab 10N和Fab 10X所组成的，根据官方的数据，厂房占地面积165000平方米，不过美光并们没有透露无尘厂房面积，以及有没有扩建别的东西。现在新厂房正在进行设备安装，预计今年内心的厂房就可以生产96层堆叠的3D NAND，他们只要求产能与现在一样，符合市场对闪存的需求就可以了，并不会增加产能。
随着3D NAND堆叠层数的增加，每个晶圆必须在化学气相沉积机器中花费更多的时间，这意味着蚀刻它们需要更多的时间，这意味着如果想新工艺的闪存维持和现有一样的产量就必须在无尘厂房中配备更多多的CVD和蚀刻机，所以美光需要扩建厂房来维持闪存产量，当然了闪存晶圆的产量虽然没变，但是生产出来的闪存容量就要大得多了。
除了扩建新的厂房外，美光还扩大了他们在新加坡的研发业务，他们的NAND Center of Excellence将进行技术开发与产品工程，希望以此提高Fab 10的产量和生产效率。