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联电董事会昨通过在新加坡Fab12i厂区新建一座先进晶圆厂计划，新厂第一期月产能规画为3万片晶圆，预计于2024年底开始量产，这座新厂(Fab12i P3)是新加坡最先进的半导体晶圆代工厂之一，提供22/28纳米制程，总投资金额为50亿美元。
联电在新加坡的工厂运营超过20年，新加坡Fab12i厂也是联电的先进特殊制程研发中心。另家晶圆代工大厂美国的格芯（GlobalFoundries）去年中宣布将投资40亿美元在新加坡扩建新厂，近年联电和格芯竞争激烈。
联电表示，由于5G、物联网和车用电子大趋势的带动，对联电22/28纳米制程需求的前景强劲，因此新厂所扩增的产能也签订了长期的供货合约，以确保2024年后对客户产能的供应。加计新厂扩建计划，联电在2022年的资本支出预算将提高至36亿美元。
联电强调，新厂生产的特殊制程技术，如嵌入式高压解决方案、嵌入式非挥发性记忆体、RFSOI及混合信号CMOS等，在智能手机、智能家庭设备和电动车等广泛应用上至为关键。
联电董事长洪嘉聪表示，在过去的20年里，联电受益于新加坡完善的基础设施、产业链以及人力资源。扩大联电在新加坡的12吋晶圆厂营运，将使联电的制造能量进一步朝多元化迈进。
新加坡经济发展局主席马宣仁指出，半导体是新加坡的一大支柱产业，联电在新加坡电子半导体制造业里扮演了举足轻重的角色，联电对新加坡的信任及投资，将深化新加坡在全球半导体产业链地位。
全球12吋晶圆厂数量将超200个
截至 2021 年底，共有 153 家半导体晶圆厂处理 300mm 晶圆，用于制造 IC，包括 CMOS 图像传感器和功率分立器件等非 IC 产品。
300mm 晶圆厂数量在 2021 年增加了 14 家，是自 2005 年开设相同数量以来的一年中最多。根据计划，2022 年全球将开设 10 家晶圆厂，其次是 2023 年的 13 家和 2024 年的 10 家。这使行业处于到 2026 年，将有超过 200 条 300 毫米晶圆厂线投入运营。
越来越多的 300 毫米晶圆厂正在建造用于制造非 IC 器件，尤其是功率晶体管。在大硅片上处理芯片的制造成本优势对于以大芯片尺寸和大容量为特征的器件类型发挥作用。具有这些特性的集成电路示例包括 DRAM、闪存、图像传感器、复杂逻辑和微组件 IC、PMIC、基带处理器、音频编解码器和显示驱动器。虽然与这些 IC 的芯片尺寸相比，大硅片功率晶体管仍然很小，但它们的出货量很大，而且足够大，足以让 300 毫米晶圆厂保持在具有成本效益的生产水平。根据 IC Insights 的数据，2021 年功率晶体管的单位需求量达到 435 亿颗，功率 MOSFET 和 22 亿颗 IGBT。
在计划于 2022 年开始投入运营的 10 座 300 毫米晶圆厂中，有两家将专注于非 IC 产品的生产。一个是中国重庆的华润微电子工厂，另一个是士兰微电子旗下的中国厦门工厂。
今年新开的 300 毫米晶圆厂中有三分之一是由台积电建造的。为了应对对其代工服务的高需求，该公司在 2021 年将资本支出增加了 74%，达到 300 亿美元。大部分支出用于装备台南 Fab 18 园区的第 4 期和第 5 期晶圆厂。台积电还在中国南京的 Fab 16 工厂完成第二家工厂，以满足对成熟技术的需求，尤其是 28nm CMOS。
德州仪器和意法半导体（及其新的晶圆厂合作伙伴 Tower Semiconductor）正在完成 300 毫米晶圆厂的建设，目标是模拟和混合信号 IC 生产。TI 报告称，2021 年的资本支出大幅增加，与 2020 年相比，这一年的支出增加了 279%。大部分资金用于购买该公司位于德克萨斯州理查森的第二个晶圆厂和第三个 300 毫米晶圆厂的新设备。RFAB2 设施将使理查森工厂的晶圆产能增加一倍以上。
计划于 2022 年开业的新 300 毫米晶圆厂中只有两家是用于存储产品的。SK Hynix 预计将在其位于韩国清州的 M15 工厂开始运营 3D NAND 的第二阶段生产线，而华邦计划在台湾高雄启动新的 DRAM 工厂。
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